Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之-- Sdevice《3》Electrode模块

Sdevice

2.0 Electrode

Electrode{
	{ Name="source" 	 Voltage=0.0}
	{ Name="gate"     	 Voltage=0.0}
	{ Name="drain"   		 Voltage=0.0}
	{ Name="Substrate" Voltage=0.0}
}

• 电极定义部分用来器件所有电极电压的初始值，即电极边界条件

• 一般为了收敛，都设置为0

• 当使用瞬态时，这里可以定义脉冲

• Voltage定义了电极电压，电极接触默认为欧姆接触

• Resistor表示漏极串联了一个高值电阻，阻值为10⁸Ω

  { Name= "collector" Voltage= 0.0 Resistance=@Rc@}
  

• 通常会在Gate添加Barrier,用于定义多晶硅电极的功函数差，把多晶硅当成金属电极，PMOS 为正，NMOS为负，通常是0.55和-0.55eV

• 电荷Charge的定义

• 肖特基功函数Schottky Workfunction的定义