signature=8ea3baca1fbcd01be18c11948b8e9483,Das gerichtete Aufwachsen von Kupfer(I)‐oxyd auf Kupfer‐E...

摘要：

Abstract Untersuchungen über die Orientierung von Cu₃O-Schichten auf Cu-Einkristallkugeln sollten einen Beitrag zum physikalischen und chemischen Geschehen auf Kristalloberflächen liefern. 1. Nach dem Schrifttum wurden bisher nur Einkristalle mit angeschliffenen rationalen Flächen oder solche von unregelmäβiger Gestalt oxydiert; die Ergebnisse widersprechen einander. Es interessiert aber das Verhalten aller Flächen des Kupfergitters. Deshalb erhielten die zu oxydierenden Einkristalle Kugelform; sie weisen nun an ihrer Oberfläche alle denkbaren Netzebenen auf, ohne ungerechtfertigt solche von niederer Indizierung zu bevorzugen (§ 1 u. 2). 2. Zur Ermittlung der Orientierung des Cu₂O dienten optische Beobachtungen an den geätzten Oberflächen sowie Röntgenmethoden (§ 3 Nr. 1 u. 2). Hierbei ergaben sich Regeln darüber, welche Reflexe aus massiven Oberflächen nicht ins Freie gelangen, also aus geometrischen Gründen verboten sind (§ 3 Nr. 3). 3. Die Orientierung des an Luft entstandenen Cu₂O auf geätztem Cu hängt gesetzmäβig von der Lage der dargebotenen Kupferoberfläche im Kristallgebäude und der Art ihrer Ätzung ab. In scharf begrenzten Bereichen der Einkristallkugel erscheint parallele Orientierung der beiden kubischen Gitter. In den anderen stimmt, soweit bisher beobachtet, zwar stets die Lage der am dichtesten mit Metallatomen besetzten Ketten [110] überein, doch ist das Cu₂O-Gitter um bestimmte Winkel in der dadurch gekennzeichneten Zone gegen das Cu-Gitter gedreht (§ 4 u. 5). Unter besonderen Bedingungen bilden sich auch polykristalline Schichten (§ 2). 4. Ein Kupferoxydul-Gleichrichter auf polykristallinem Metall wird also verschiedene Verknüpfungen von Mutterkupfer und Cu₂O nebeneinander enthalten. Da zudem Experiment und Quantentheorie der Metallelektronik auf Richtungsabhängigkeit der Austrittsarbeit hinweisen, ist damit zu rechnen, daβ streng definierte und einheitliche Bedingungen für den Übertritt der Elektronen durch die Grenze Metall-Halbleiter nur da bestehen, wo eine ebene Grenzfläche eines Einkristalls nach einheitlicher chemischer Vorbehandlung oxydiert wurde. 5. Es wurden Verformungen der aufgewachsenen Cu₂O-Kristallite beobachtet (§ 4). 6. Häufig sprang das Cu₂O von der Unterlage ab. Das Mutterkupfer zeigte an diesen Stellen nach kurzer KCN-Behandlung herausmodellierte Oktaeder-Flächen; das sind die Flächen dichtester Besetzung für die Kupfer-Atome beider Gitter (§ 6).

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