存储器（ROM、RAM、FLASH）

目前半导体存储器基本上可以分为两大类：只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM，又称读写存储器）。

1. ROM是一种永久性数据存储器，其中的数据一般有专用的装置写入，数据一旦写入，不能随意改写，在断电后数据不会消失。ROM常用于存放系统的运行程序或固定不变的数据，ROM是一种组合逻辑电路。ROM 存储器由存储阵列、地址译码器和输出控制电路三部分组成。存储阵列可用二极管、MOS管或BJT管构成，也可以用带金属熔丝的二极管、SIMOS等构成，制成各种可编程ROM。主要包括：

       （1）一次可编程存储器（PROM）。存储阵列由带金属熔丝的二极管构成，只能改写一次。

       （2）光可擦除可编程存储器（EPROM）。存储阵列由SIMOS管构成，数据写入需要通用或专用的编程器，可擦除，擦除后可重新写入数据。

       （3）电可擦除可编程存储器（EEPROM）。存储阵列由Flotox MOS管和快闪叠栅MOS管构成。具有非易失性和写入（改写）功能，可重复擦写一万次以上。

     2. RAM与ROM的最大区别就是数据易失性，一旦断电，存储数据立即丢失，最大优点是可随时快速从其中任一指定地址读书(取出)或写入(存入)数据。分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。

       （1）SRAM的基本结构与ROM类似，最主要的差别是存储单元，SRAM的存储器由锁存器构成的，属于时序逻辑电路。SRAM中数据由锁存器记忆，只要不断电，数据就能永久保存。

       （2）DRAM存储单元由一个MOS管和一个容量较小的电容器构成，利用电容的电荷存储效应来存储数据，必须定期刷新（再生），以免存储数据丢失。

        （3）SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步写入和读出数据的DRAM。

        （4）SSRAM：Synchronous Static Random Access Memory，同步静态随机存储器，所有访问都在时钟的上升/下降沿启动，地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

     3. FLASH： Flash Memory，闪存，非易失性固态存储，如制成内存卡或U盘。